解決方案

DBG + DAF雷射切割

DBG(Dicing Before Grinding)^*1製程利用研磨來分割晶片，故能夠降低背面崩裂，並能因此提高晶片抗折強度。另外，因為是在研磨結束階段分割成晶粒，所以有望在加工薄形晶片時減小晶片破損的風險。今後如能在這種DBG製程中採用DAF(Die Attach Film)^*2的話，也有可能在SiP(System in Package)等薄型晶片積層的封裝製造方面全面採用DBG製程。
在DBG製程中採用DAF時，需要在分割成晶粒的晶片的背面貼上DAF，並再次將DAF單獨切割。這次我們向大家介紹利用雷射全切割進行這種DAF切割的應用技術。

DBG (Dicing Before Grinding) :　這種技術將傳統的“背面研磨→晶片切斷”的製程倒過來，先將晶片半切割，然後利用背面研磨進行晶片分割。

DAF (Die Attach Film) :　這是一種薄膜狀的接合材料，用於薄型晶片積層等。

應用技術

在DBG加工後，用刀片來切割DAF時，目前以下幾個方面的課題有待解決。

<DBG製程中利用刀片切割DAF時的課題>

晶粒的整列性
粘貼切割膠帶、剝離表面保護膠帶時，有時會出現晶粒錯位（切割槽偏移）。如果晶粒的錯位量很大，則有可能無法確保有良好的刀片切割通路。

刀片的刃寬
因為需要比切割槽寬度（晶粒間的距離）更薄的刀片，所以要求加工時要很小心。

加工速度
為了保證切割後DAF有良好的品質，有時難以進行高速加工。

但是，採用在DBG加工後利用雷射切割DAF的應用技術，則可以解決加工時晶粒錯位的問題，並能提高加工速度。

DBG+DAF雷射切割的製程

將DBG加工後的晶片轉放到架上，剝離掉表面保護膠帶後，從晶片表面一側對DAF進行全切割。晶片已經分離成了晶粒，所以就可以從晶粒間照射雷射，只將DAF切斷。

DAF雷射切割的優點

	可改善DAF的加工品質
	採用雷射切割技術可以抑制採用刀片切割進行DAF切割時產生的毛邊。

圖1. 表面一側SEM照片　DAF雷射切割
（70µmSi + 20µmDAF）

	能夠進行高速切割，提高生產效率
	與刀片切割相比，可以提高DAF全切割時的加工速度。加工實例：　加工進給速度100mm/sec ～ 300mm/sec，以1pass進行DAF切割（加工條件因DAF的種類、DAF的厚度、晶片厚度和切割槽寬度等的不同而異。）

	利用特殊排列校準功能，可以解決晶粒錯位問題
	即使在DBG加工後的晶片上出現了晶粒錯位，也能夠通過採用特殊排列校準功能進行跟隨晶粒錯位的加工。可就各加工線上的每個排列對位點，記憶切割槽中心的位置，並用雷射對其中心進行切割。