高生産性
- 最適なレーザヘッドと光学系の組み合わせにより、加工スピードをアップさせ、加工時間の短縮が可能です。
- 特に厚さ150µm以下の薄厚ウェーハの加工時などに有効です。
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加工品質向上
- チッピングやクラックの多発により、低い送り速度で加工していた化合物半導体を、速い送り速度でも加工品質の低下なく高品位に加工します。
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ガラス
t700um （x30） |
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ガラス＋Si
t500+100um （x50） |
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| GaAs t100um |
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小チップ、狭ストリートを実現
- 大幅なストリートリダクションでウェーハ1枚あたりの取り個数がアップします。
- ステルスダイシングの場合、限りなくカーフ幅を0に近づけることも可能です。
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ダメージレスの非接触加工
- 衝撃や負荷が少ない非接触加工のため、チッピング低減、抗折強度・送り速度・歩留まり率の向上が可能です。
- 特に50µm以下の薄ウェーハに有効です。
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| シリコン（50µmt） |
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膜剥がれやバリの抑制
- 最先端のメモリやCPU、LSIなどのデバイスに使用されているLow-k膜（層間絶縁膜）などの膜剥がれしやすい素材や、DAF（Die Attach Film）や金属膜などの延性が高くバリが発生しやすい素材に対し、膜剥がれ・バリを抑制した高品位加工が可能です。
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| Low-k（グルービング） |
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| シリコン70µm＋DAF20µm |
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ドライプロセス、コンタミレス
- レーザは水を使わないドライプロセスのため、機械構造や電子回路が組み込まれたMEMSなど加工に水を使用することができないワークへの適用が可能です。
- さらに、ステルスダイシングではワークの内部を改質するため加工屑を抑制することができ、イメージセンサなど汚れを嫌うワークの加工に最適です。
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| MEMS |
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回路面への熱影響無し
- ショートパルスレーザの採用で、熱影響、クラックの少ない加工を実現します。
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