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2007年11月6日

新たなウェーハ薄化ソリューション「UltraPoligrind」を開発

株式会社ディスコ（本社：東京都大田区、社長：溝呂木斉）は、シリコンウェーハの薄化工程において、粗研削、仕上げ研削後のストレスリリーフ工程の新たなソリューションとして、「UltraPoligrind」を開発しました。本製品は１２月に開催されるSEMICON Japanに出展します。

写真：UltraPoligrind

開発の背景

NAND型フラッシュメモリやDRAMに代表されるメモリでは、SiP(System in Package)に内蔵するチップの薄厚化が進んでおり、その他のロジックやRFなどのデバイスについても、薄厚化へのニーズが高まっています。
これに対してディスコでは、既にウェーハの薄化に対応する様々なソリューションを提案してきましたが、パッケージ実装密度の更なる増大によって、昨今の薄化ニーズは一層高まってきており、50µm以下の仕上げ厚さをターゲットとするデバイスも多数出現してきています。

従来のバックグラインド加工はシリコンウェーハを破砕モードで加工を行うため、破砕層と呼ばれる加工歪みが残り、ダイシング後のチップ実装においてウェーハの割れや欠けの要因となっていました。この破砕層を除去し、チップ強度を維持する事を目的としたDry Polish やCMP（Chemical Mechanical Polish）などによるストレスリリーフ工程が現在では一般的になりつつあります。

しかしながら従来のストレスリリーフ手法において、50µm以下の薄仕上げの際に、ゲッタリング効果(*1)が十分に得られなくなることから、重金属汚染による特性不良という新たな課題が生じるケースが出てきています。（*2）
このたびディスコが発表する「UltraPoligrind」は、50µm厚以下のウェーハ薄化をターゲットとし、ゲッタリング効果を十分に得ながら、チップ強度も維持するストレスリリーフ工程における新たなソリューションとして開発されました。

*1	ゲッタリング効果とは、Si基板内（バルクもしくは裏面）に、結晶欠陥・歪みなど（＝ゲッタリングサイト）を形成し、このゲッタリングサイトに汚染不純物を捕獲・固着する技術。

*2	ゲッタリング効果が得られなくなることで発生する重金属汚染によるデバイス破壊は、デバイスの素材やその他条件によって異なります。

UltraPoligrindの特徴

[チップ強度の維持]
製品の歩留まりに大きく影響を与える、抗折強度Minimum値で従来のストレスリリーフと同等のチップ抗折強度を実現（以下、球抗折強度測定グラフ参照）

球抗折強度測定グラフ

[ゲッタリング効果]
固定砥粒による超ファインメッシュ仕上げによって、適度なゲッタリング効果を維持

[ストレスリリーフと同等の生産性を維持]
従来のストレスリリーフと同等の生産性を維持

ディスコのウェーハ薄化ソリューション

ディスコでは、従来より提案している「ドライポリッシュ」や「プラズマエッチング」によるストレスリリーフ、「Poligrind」によるファインメッシュ仕上げ、そしてこのたび新たに開発した「UltraPoligrind」による超ファインメッシュ仕上げなど、ウェーハ薄化に関しての幅広いソリューションを取りそろえることによって、多様化するデバイスや加工ニーズに的確に応えて参ります。

今後の計画