DISCO
Japanese Chinese Traditional Chinese Simplified Korean English
サイトマップ
会社情報 株主・投資家情報 CSR情報 採用情報
HOMEニュースリリースソリューション製品情報カスタマーサポートお客さまの満足のためにお問い合わせ
ディスコHOME > ニュースリリース

ニュースリリース


プレスリリース

2010年11月24日

TSVウェーハ向けエッジトリミング技術を開発

株式会社ディスコ(本社:東京都大田区、社長:関家一馬)は、高い清浄性を求められるTSV(Through Silicon Via)ウェーハ製造プロセス向けに、サブストレート(搬送用支持基板)とウェーハを貼り合わせた後、エッジトリミングをおこなう技術を開発しました。

開発背景・特長
ウェーハ薄化研削時のエッジチッピングからの割れを防止するプロセスの一つに、研削前にウェーハエッジ部に溝入れする「エッジトリミングプロセス」があります。
高い清浄性が求められるTSVウェーハにエッジトリミングを適用する場合、従来は、貼り合わせ界面のクリーン度を保つためにトリミング後のウェーハを洗浄し、その後サブストレートへの貼り付けをおこなっていました。(下図参照)
今回開発したプロセスでは、TSVウェーハをサブストレートに貼り付けた後にエッジトリミングをおこなうことが可能となったため、貼り合わせ前の洗浄が不要となります。これにより、プロセスの簡略化・低コスト化を実現します。

DFD6361
エッジトリミング仕様
プロセスフロー比較

◆従来プロセス

◆新プロセス

加工品質

従来のエッジトリミングプロセスと同様に、ウェーハエッジ部のシャープエッジ化を抑え、エッジチッピングを抑制します。

今後の計画

テストカット

随時

お問い合わせ先
本件に関するお問い合わせは以下の連絡先までお願いいたします。
株式会社ディスコ
経営支援室 広報チーム
Phone: 03-4590-1090 Fax: 03-4590-1076
ニュースリリース

個人情報保護方針
利用規約
弊社の社名利用について
古物営業法に基づく表示
弊社製品の使用に対する補償ポリシー
このページのトップへ