ドライポリッシュプロセスにて、 高い抗折強度とゲッタリング性の維持を両立
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ウェーハの極薄化に伴い、ゲッタリング性の低下が懸念されています。Gettering DP は、ディスコ独自のドライポリッシングプロセスを用い、高い抗折強度とゲッタリング性の維持の両立を実現する新しいソリューションです。ケミカルフリーのプロセスなため、環境負荷が少ない上、スラリーを使用するプロセスに比べ容易なオペレーションで薄ウェーハの研磨を実現します。 |
特 徴
- 通常研削と同等のゲッタリング性を維持
- スラリー不要で環境負荷の低いプロセス
- 独自のドライポリッシュプロセスによる高い抗折強度を実現
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ウェーハダメージTEM比較
Gettering DPで研磨したウェーハのダメージ層は、#2000研削ホイールと比較し非常に小さくなっていることが分かります。
Gettering DP Wheel |
#2000 Wheel |
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加工対象
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シリコンウェーハ 他 |
装着可能装置
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グラインダ/ポリッシャ：DGP8000シリーズ
ポリッシャ：DFP8000シリーズ |
仕 様
抗折強度比較
ゲッタリング効果
ミラーウェーハのサンプルは強制汚染後に反対面に析出されるCu量が1.0E11以上になるのに対し、Gettering DP サンプルは反対面に析出されるCu量が検出限界値以下であることから、Gettering DP 面にゲッタリング効果があることがわかります。
| Cu強制汚染前後のTXRF測定データ（φ8インチミラーウェーハ） |
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ゲッタリング効果を定量的に測定するために、Cu強制汚染させたサンプルを350度で3時間加熱した後、TXRF（全反射蛍光X線分析）で分析しました。Gettering DPのサンプルを例にとると、研磨面にCu強制汚染させCuを拡散させた後、反対面（ミラー面）に析出されたCu量をTXRFで分析します。 |
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※0.5E10 atoms/cm2以下は検出限界です。 |
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