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ガリウム砒素の加工方法
 
チッピングが発生しやすいガリウム砒素の加工に関してご紹介します。

◆加工事例
ガリウム砒素(以下:GaAs)のダイシングは、一般的には以下のような傾向があります。
GaAsウェーハの結晶方位によって、チッピングの出方が大きく変わります。
素材の特性上チッピングが発生しやすく、粒径の細かいブレードを使用する方が高品質に加工できます。
チッピングを抑制するため、シリコンなどの加工より低い送り速度で加工することが多いです。
GaAsの加工における結晶方位の影響の確認方法、一般的なブレード仕様、加工条件をご紹介します。

<結晶方位の影響について>
標準的なブレード(ブレード仕様の項目を参照ください)を使用し、結晶方位の影響を以下の手順で確認します。
ただし、結晶方位を45ºずらしてパターンが付いている場合は、どちらのチャンネルもチッピングは同等レベルになります。
1. カット順序を変更してみる。
2. ブレードの進入方向を変更してみる。
3. チャンネル毎に送り速度を検討する。
<一般的なブレード仕様と加工条件>
【ブレード仕様】
粒径: #4000~#5000
集中度: 70、50
ブレード品種例: ZH05 SD4800-N1-70 BB
【加工条件】
送り速度: 1~10 mm/s
S/P回転数: 20000~30000 rpm
切り込み深さ: テープへの切り込み深さは浅い方が裏面チッピング品質が改善されます。

◆参考写真
結晶方位の違いにより、ch1とch2の加工ラインでチッピングサイズが異なっています。






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