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Laser Dicing Solutions


장점

최적의 레이저 헤드를 선택하고 광학계 독자적인 개발로 인한 "CoO(Cost of Ownership) 저감" "고품위 가공" 등 레이저 가공의 다양한 장점을 소개합니다.

CoO저감
고생산성
  • 최적의 레이저 레드와 광학계의 조합으로 가공 스피드를 향상시켜, 가공시간 단축이 가능합니다.
  • 특히 두께 150µm 이하의 박막 웨이퍼 가공 시 등에 유용합니다.

가공품질 향상
  • 치핑과 크랙의 다발로 인해 낮은 공급속도로 가공하고 있던 화합물 반도체를 빠른 공급속도에서도 가공품질의 저하 없이 고품질로 가공합니다.
글래스 글래스+Si
글래스
t700um (x30)
  글래스+Si
t500+100um (x50)
GaAs GaAs
GaAs t100um

작은 칩, 좁은 스트리트를 실현
  • 큰 폭의 스트리트 리덕션으로 웨이퍼 1장당 취급 개수를 향상시킵니다.
  • 스텔스 다이싱의 경우, 제한 없이 커프 폭을 0에 가깝게 할 수도 있습니다.

고품위 가공
Damageless의 비접촉 가공
  • 충격이나 부하가 적은 비접촉 가공이므로 치핑 저감, 항절강도, 공급속도, 수율(yield rate) 향상이 가능합니다.
  • 특히 50µm 이하의 박막 웨이퍼에 유용합니다.
실리콘
실리콘(50µmt)

벗겨짐이나 burr의 억제
  • 최첨단 메모리와 CPU, LSI 등의 디바이스에 사용되고 있는 Low-k막(층간 절연막) 등의 벗겨지기 쉬운 소재나 DAF(Die Attach Film), 금속 막 등 연성이 높고 burr가 발생하기 쉬운 소재에 대해 벗겨짐, burr를 억제한 고품위 가공이 가능합니다.
Low-k(그루빙)
Low-k(그루빙)
실리콘
실리콘70µm+DAF20µm

드라이 프로세스, contamination less
  • 레이저는 물을 사용하지 않는 드라이 프로세스이므로 기계구조와 전자회로가 내장된 MEMS 등 가공에 물을 사용할 수 없는 웍에 적용 가능합니다.
  • 더욱이 스텔스 다이싱에서는 웍 내부를 개질하기 위해 가공 찌꺼기를 억제할 수 있으며 이미지 센서 등 오염을 피해야 하는 웍 가공에 가장 적합합니다.
MEMS
MEMS

회로면에 대한 열 영향 없음
  • 쇼트 펄스 레이저를 채택하여 열 영향, 크랙이 적은 가공을 실현합니다.
롱 펄스 레이저 쇼트 펄스 레이저
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