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Laser Dicing Solutions


가공수법

어플리케이션 가공과 스텔스 다이싱.
고객의 가공 요구에 최적인 가공수법을 제안합니다.

어플리케이션 가공
 장치 라인업
미세한 영역에 극단 시간에 레이저 에너지를 집중시켜 고체를 승화 ・ 증발시키는 가공방법입니다.
특 징 어플리케이션 가공
  • 웍에 대한 열 데미지가 거의 없습니다.
  • 충격과 부하가 적은 비접촉 가공(damageless)
  • 가공 난이도가 높은 경질 웍에도 대응
  • 폭 10µm 이하인 협소한 스트리트도 가공 가능
어플리케이션은 가공 깊이를 조정하여 "그루빙" "풀 커팅" "스크라이빙" 등 3가지 가공이 가능합니다.

1. 그루빙
  • 다이싱 스트리트 내에 가는 홈(그루브)을 2개 형성하여 패턴 상에 형성된 막만을 제거. 그 사이를 블레이드와 레이저로 풀 커팅 다이싱하는 수법. 치핑/Delamination(벗겨짐) 등의 저감, 풀 커팅 향상이 가능합니다.
  • Low-k막, 질화 알루미늄(AlN), 알루미나 세라믹스 등에 최적
  • 가공 난이도가 높은 경질 웍에도 대응
  • 그루빙에 관한 자세한 설명은 이곳을 참조하세요
2. 풀 커팅
  • 두께 200µm 이하의 박막 웨이퍼의 상면(패턴면)에 레이저를 1회~복수 회 조사하여 테이프까지 잘라 웨이퍼를 풀 커팅하는 수법. 공급속도를 상승할 수 있으며 스루풋 향상이 가능합니다.
  • 실리콘, 갈륨 비소(GaAs) 등에 최적
  • 풀 커팅에 관한 자세한 설명은 이곳을 참조하세요
3. 스크라이빙
  • 다이싱 스트리트 내에 가는 홈(그루브)을 형성한 후 블레이킹 등 외적 응력으로 칩 분할하는 수법입니다.
  • 사파이너 등에 최적

스텔스 다이싱
 장치 라인업
레이저를 가공 웍 내부에 집광하여 내부에 개질층을 형성시켜 Tape expand 등으로 칩 분할을 실시하는 다이싱수법입니다.
특 징 스텔스 다이싱
  • 세정이 필요 없는 드라이 프로세스, 물을 겸한 디바이스에 유용
  • 커프 폭을 최대한 가늘게 하므로(커프레스), 큰 폭의 스트리트 리덕션이 가능
  • 웍 내부를 개질하므로 가공 찌꺼기를 억제
  • 사파이어, MEMS, 실리콘(Si), DAF, 글래스, 리튬 탄탈라이트(LT) 등
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