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씬 웨이퍼 다이싱(Dicing)

최근, 특히 모바일 제품용 SIP(System In Package)나 IC카드, RFID태그 등의 본격적인 도입에 따라 반도체시장에서는 100µm이하두께의 제품이 실용화되고 있습니다. 최종 제품의 수요와 함께 씬 웨이퍼를 가공하는 기술의 중요성 또한 높아지고 있습니다. 씬 웨이퍼를 가공함에 있어서, 종래의 가공기술로서는 고객이 요구하는 가공결과를 제대로 얻지 못하는 문제의 해결에 일조하기 위하여 저희 디스코에서는 어플리케이션과 휠(블레이드)의 연구개발에 적극적으로 임하고 있습니다.


블레이드(blade)
피절삭재가 얇아지면, backside 칩핑(Chipping)은 커지는 경향이 있습니다. 사진1, 2는 25µm의 실리콘 웨이퍼(표면 드라이 폴리싱(Polishing)으로 연마)를 가공한 backside 칩핑 사진입니다. 사진1은 종래의 웨이퍼 두께로 사용되고 있는 일반적인 연마용 입자 사이즈의 블레이드(#2000)로 가공한 것으로, backside 칩핑이 현저하게 나타납니다. 한편, 사진2는 파인 메쉬(Fine Mesh) 연마용 입자를 사용한 블레이드(#4800)로 가공한 것입니다. 씬 웨이퍼의 표면 칩핑에 대한 대책으로써 파인 메쉬 연마용 입자를 사용한 블레이드를 사용하는 등, 피절삭재로의 충격을 저감하는 것이 포인트가 되고 있습니다(그래프1 참조).
파인 메쉬 블레이드에 대한 상세한 문의사항은 영업담당에 문의 바랍니다.
사진1:
일반 메쉬 블레이드(#2000)
사진1 일반 메쉬 블레이드(#2000)
사진2:
파인 메쉬(Fine Mesh) 블레이드(#4800)
사진2 파인 메쉬(Fine Mesh) 블레이드(#4800)
그래프1: 가공품질에의 영향
그래프1: 가공품질에의 영향


가공조건
그래프2: 절삭속도의 영향
그래프2: 절삭속도의 영향
전술한 바와 같이, 씬 웨이퍼는 파인 메쉬(Fine Mesh) 블레이드로 가공할 필요가 있지만, 파인 메쉬(Fine Mesh) 블레이드는 절삭력이 약하므로 눈막힘이 일어나기 쉽고 웨이퍼 표면의 막이나 TEG의 영향을 받아, 표면의 가공품질이 떨어지는 경향이 있습니다. 그러한 경우에는 싱글 커팅(Single-Cutting)이 아니라 스텝 커팅(Step-Cutting)을 함으로써 개선을 기대할 수 있습니다.
또한, 블레이드에 의한 다이싱(Dicing) 가공에 있어서 장기적이고 안정적인 가공결과가 요구될때에는 , 일정한 가공부하를 유지하고 자생작용을 촉진시켜야 합니다. 씬 웨이퍼의 경우, 절삭체적에 의한 가공부하의 상승기대가 어려우므로 가공조건에서 가공부하를 상승시켜줄 필요가 있습니다.
그래프2는 절삭속도를 증가시켰을 때의 가공부하 추이를 나타낸 것입니다.
단, 그릿 사이즈와 절삭속도, 스핀들 회전수는 아주 밀접하게 관계하고 있습니다.
디스코에서는 고객의 웨이퍼 두께에 적절한 가공조건을 선정 해드리고 있습니다. 담당 영업부로 상담해 주십시오.

기타(쇼트 커프 체크(Short Kerf Check)기능): 특허 신청 중
일반적으로, 커프 체크(Kerf Check)를 할 때에는 Z1블레이드와 Z2블레이드가 단독으로 다른 곳을 커팅합니다(동시에 커프 체크를 하면, Z2블레이드의 커프 체크가 곤란하므로). 그러나, 원래대로라면 자재 표면을 커팅하지 않은 Z2블레이드가 커프 체크시에 표면을 커팅하므로, 표면의 TEG나 막에 의해 데미지를 입혀 backside 칩핑이 커지는 경향이 있습니다. 이런경우에, 쇼트 커프 체크(Short Kerf Check)기능을 사용하여 backside 칩핑 발생을 억제할 수 있습니다. 커프 체크시에 Z2블레이드가 커팅하는 스트로크(stroke)를 짧게 제어할 수 있으므로 블레이드에 주는 데미지를 최소화 할 수 있는 것입니다.
블레이드, 가공조건에 더하여 쇼트 커프 체크기능을 사용하여 고품질의 씬 웨이퍼 가공이 가능해집니다.
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